| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
61901 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
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VISHAY/威世SOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOP-8 |
28021 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市兴灿科技有限公司9年
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SISOP8 |
28500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
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VISHAYSOP8 |
7566 |
23+ |
原厂原装 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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SISOP8P |
209 |
23+ |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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SISOP8 |
238 |
02+/03+ |
全新原装100真实现货供应 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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VISHAY/威世SOP-8 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
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SISOP8P |
3000 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
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VISHAY/威世NA/ |
17713 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市福安瓯科技有限公司11年
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VISHAYSOP-8 |
2050 |
22+ |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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VISHAYSOP-8 |
6000 |
10+ |
绝对原装自己现货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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SISOP8P |
7500 |
22+ |
十年品牌!原装现货!!! |
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深圳市一线半导体有限公司15年
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3000 |
自己现货 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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VISHAYSOP-8 |
16500 |
21+ |
进口原装正品现货 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
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SISOP-8 |
1540 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
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SISOP-8 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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VISHAY/威世SOP-8 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY/威世SOP-8 |
17713 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
SI4833采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4833图片
SI4833BDY-T1-GE3价格
SI4833BDY-T1-GE3价格：￥1.6577品牌：VIS
生产厂家品牌为VIS的SI4833BDY-T1-GE3多少钱，想知道SI4833BDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥1.6577。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4833BDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI4833BDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI4833BDY-T1-GE3报价。
SI4833中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4833ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 4.6 Amp 2.75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.6A 2.75W 72mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833DY功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833DY_07制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4833DY-E3功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833DYT1制造商:VISHAY 功能描述:30V 3.5A 2W
SI4833DY-T1功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4833DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
