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深圳市科达星科技有限公司

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VISHAYSOP

26200

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原装现货,诚信经营!

深圳市纳福半导体有限公司

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1年 留言

SILICONIXSOP-8

10200

2033+

原装正品,支持实单

深圳市恒达亿科技有限公司

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13年 留言

SISOP8P

3000

25+

全新原装、诚信经营、公司现货销售!

深圳市一线半导体有限公司

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17年 留言

3000

24+

自己现货

芯有半导体(深圳)有限公司

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18年 留言

SISOP8

238

02+/03+

全新原装100真实现货供应

深圳市一线半导体有限公司

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SISOP-8

1540

24+

艾睿(深圳)半导体有限公司

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SISOP-8

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳博中泰实业有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

3000

25+

本公司 只做全新原装正品

深圳市昂芯微科技有限公司

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3年 留言

VISHAYSOP8

7566

23+

原厂原装

深圳市河锋鑫科技有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

17713

2022+

原厂代理 终端免费提供样品

深圳市博中泰实业有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

90000

25+

全新原装现货

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

28021

23+

一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

深圳市福安瓯科技有限公司

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VISHAYSOP-8

2050

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福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP

5000

2025+

原装进口,免费送样品!

深圳市华睿芯科技有限公司

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VISHAYSOP-8

20000

24+

全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYSOP8

5000

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市赛美科科技有限公司

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VISHAYSOIC-8

68500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市威雅利发展有限公司

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VISHAYSOIC-8

5000

07+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市腾亿芯科技有限公司

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VishaySOP-8

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原装

深圳市英科美电子有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

26800

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SI4833BDY-T1-GE3价格

SI4833BDY-T1-GE3价格:¥1.6577品牌:VIS

生产厂家品牌为VIS的SI4833BDY-T1-GE3多少钱,想知道SI4833BDY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥1.6577。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4833BDY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4833BDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4833BDY-T1-GE3报价。

SI4833DY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF

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SI4833ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 4.6 Amp 2.75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4833ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.6A 2.75W 72mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4833DY功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4833DY_07制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET with Schottky Diode

SI4833DY-E3功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4833DYT1制造商:VISHAY 功能描述:30V 3.5A 2W

SI4833DY-T1功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4833DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 3.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube