首页 >SI4816BDY-T1-GE3其他被动元件>规格书列表
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DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)=19m2(typ.)@VGs=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGS=4.5V Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGs=10V GS RDSON=14m2(typ.)@V=4.5V DS'ON ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
DualN-Channel30-V(D-S)MOSFETwithSchottkyDiode GENERALFEATURES ●Q1:N-Channel ●30V/7A, RDS(ON)19m2(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=24m2(typ.)@VGs=4.5V ●Q2:N-Channel ●30V/11.2A, RDS(ON)=10m2(typ.)@VGS=10V RDSON=14m2(typ.)@VGs=4.5V ●Schottky Vds=30VIF=2.0A Vsd:0.5V@1.0A | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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