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SI4558DY	文件：67.11 Kbytes Page：6 Pages	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：67.11 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI4558DY	文件：1.70634 Mbytes Page：6 Pages	Complementary Power Trench MOSFET 文件：1.70634 Mbytes 页数：6 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SI4558DY-HF	文件：2.16825 Mbytes Page：6 Pages	Complementary Trench MOSFET 文件：2.16825 Mbytes 页数：6 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SI4558DY-T1-E3	文件：1.23457 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.23457 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
Si4558DY	文件：300 bytes Page：1 Pages	N/P-Channel 30-V (D-S) Pair	Vishay 威世	Vishay

详细参数

型号：
SI4558DY
功能描述：
MOSFET 30V 6A 2.4W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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