订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>SI4532CDY-T1-GE3>芯片详情
SI4532CDY-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V坤融电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI4532CDY-T1-GE3
- 功能描述:
MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- SI4511DY-T1-E3
- SI4542DY
- SI4505DY-T1-E3
- SI4544DY-T1-E3
- SI4505DY
- SI4554DY
- SI4501DY-T1-E3
- SI4554DY-T1-E3
- SI4501BDY-T1-GE3
- SI4554DY-T1-GE3
- SI4501BDY
- SI4559ADY
- SI4501ADY-T1-E3
- SI4559ADY-T1
- SI4500DY-T1-E3
- SI4559ADY-T1-E3
- SI4500BDY-T1-E3
- SI4559ADY-T1-GE3
- SI4497DY-T1-GE3
- SI4559EY
- SI4497DY
- SI4559EY-T1-E3
- SI4493DY-T1-E3
- SI4561DY-T1-E3
- SI4491EDY-T1-GE3
- SI4563DY-T1-E3
- SI4491EDY
- SI4564DY
- SI4490DY-T1-GE3
- SI4564DY-T1-E3
- SI4490DY-T1
- SI4564DY-T1-GE3
- SI4490DY
- SI4565DY-T1-E3
- SI4488DY-T1-E3
- SI4567DY-T1-E3
- SI4488DY-T1
- SI4569DY-T1-E3
- SI4488DY
- SI4590DY
- SI4487DY-T1-GE3
- SI4599DY
- SI4487DY-T1-E3
- SI4599DY-T1-E3
- SI4486EY-T1-E3
- SI4599DY-T1-GE3
- SI4486EY
- SI4618DY
- SI4486DY-T1-GE3
- SI4618DY-T1-E3