Si4470EY中文资料N-Channel 60 V (D-S) MOSFET数据手册Vishay规格书
Si4470EY规格书详情
特性 Features
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFETs
• 175 °C Maximum Junction Temperature
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
应用 Application
• Primary Side Switch
技术参数
- 型号：
SI4470EY
- 功能描述：
MOSFET 60V 12.7A 3.75W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
SOP8 |
53650 |
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询价 | |||
VISHAY/威世 |
2023+ |
SOP8 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
NA |
880000 |
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VISHAY |
2024+ |
SOP-8 |
50000 |
原装现货 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
SOP8 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
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VISHAY/威世 |
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SOP8 |
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Vishay Siliconix |
2022+ |
8-SOIC(0.154 |
38550 |
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Vishay(威世) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
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VISHAY |
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SOP-8 |
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VISHAY |
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SOP8 |
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