| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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17年
留言
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SI |
91100 |
24+ |
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15年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价SI4470EY即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SOP |
32360 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价SI4470EY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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VISHAYSOP |
45160 |
19+ |
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6年
留言
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VISHAY/威世NA |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
100500 |
2447 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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6年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
22587 |
23+ |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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15年
留言
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VISHAYNew |
34811 |
25+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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13年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
1709 |
21+ |
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15年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
2855 |
2023+ |
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十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
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13年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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13年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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8年
留言
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只做原装SOP8 |
36520 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
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16年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
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3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
20000 |
22+ |
只做原装 |
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10年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
16755 |
2026+ |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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18年
留言
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VISHAYSOP8 |
3300 |
08+ |
全新原装现货绝对自己公司特价库 |
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SI4470图片
SI4470EY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4470EY功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V(D-S) MOSFET
SI4470EY-E3功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY-T1功能描述:MOSFET 60V 12.7A 1.85W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY-T1-E3功能描述:MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube



































