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SI4477DY-T1-GE3

VISHAY/威世NA

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SI4472DY-T1-GE3SI4472DY-T1-E3

NK/南科功率SOP-8

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国产南科平替供应大量

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SI4477DY-T1-GE3

VISHAYN/A

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAYSOP8

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VISHAY/威世SO-8

78

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原装进口无铅现货

深圳市创新迹电子有限公司

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BychipSOP8

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高品质替代,技术支持,参数选型

深圳市金芯阳科技有限公司

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VISHAY原厂原装

2500

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进口原装现货假一赔十

深圳市中赛美电子科技有限公司

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VISHAY/威世NA

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支持任何机构检测 只做原装正品

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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SISSOP8

27800

23+

一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

瀚佳科技(深圳)有限公司

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VISHAY

35200

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一级代理/放心采购

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI4472DY-T1-GE3

VISHAY/威世SOP-8

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VISHAY/威世全新特价SI4472DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

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SI4477DY-T1-GE3

VISHAY/威世SOP-8

20300

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VISHAY/威世原装特价Si4477DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

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原装进口,免费送样品!

深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAYSOP

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VISHAY/威世SO-8

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Vishay(威世)N/A

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SI4477DY-T1-GE3价格:¥2.3220品牌:Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI4477DY-T1-GE3多少钱,想知道SI4477DY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.3220。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4477DY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4477DY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4477DY-T1-GE3报价。

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SI4470EY功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4470EY_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V(D-S) MOSFET

SI4470EY-E3功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4470EY-T1功能描述:MOSFET 60V 12.7A 1.85W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4470EY-T1-E3功能描述:MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4470EY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4472DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V(D-S) MOSFET

SI4472DY-T1-E3功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4472DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4473BDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 14-V(D-S) MOSFET