| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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VISHAY/威世NA |
5000 |
24+ |
只做原装正品,假一赔十 |
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1年
留言
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NK/南科功率SOP-8 |
2255 |
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国产南科平替供应大量 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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4年
留言
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VISHAYSOP8 |
6850 |
24+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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12年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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6年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
78 |
11+ |
原装进口无铅现货 |
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3年
留言
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VISHAY/威世NA |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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5年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9795 |
1849+ |
原装现货 价格优势 |
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6年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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10年
留言
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VISHAY原厂原装 |
2500 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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9年
留言
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VISHAY/威世NA |
3000 |
22+ |
支持任何机构检测 只做原装正品 |
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SISSOP8 |
27800 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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8年
留言
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VISHAY |
35200 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
32360 |
25+ |
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VISHAY/威世全新特价SI4472DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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15年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
20300 |
25+ |
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VISHAY/威世原装特价Si4477DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
5000 |
2025+ |
原装进口,免费送样品! |
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7年
留言
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VISHAYSOP |
45160 |
19+ |
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3年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
360000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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15年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
SI447采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI447图片
SI4477DY-T1-GE3价格
SI4477DY-T1-GE3价格:¥2.3220品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4477DY-T1-GE3多少钱,想知道SI4477DY-T1-GE3价格是多少?参考价:¥2.3220。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4477DY-T1-GE3批发价格及采购报价,SI4477DY-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI4477DY-T1-GE3报价。
SI4477DY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4470EY功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V(D-S) MOSFET
SI4470EY-E3功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY-T1功能描述:MOSFET 60V 12.7A 1.85W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY-T1-E3功能描述:MOSFET 60 Volt 12.7A 3.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4470EY-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 12.7A 3.75W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4472DY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V(D-S) MOSFET
SI4472DY-T1-E3功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4472DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 150V 7.7A 5.9W 45mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4473BDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 14-V(D-S) MOSFET




































