| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
658926 |
2021+ |
代理VISHAY全系列,价格优 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
37545 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市麒裕半导体科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10000 |
全新年份 |
性价比之王一站式配单,可靠、高效、价格好 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOP8 |
25000 |
22+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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VISHAYSO-8 |
12800 |
22+ |
只做现货 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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VISHAYSO-8 |
12800 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
150 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
198589 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
13785 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
119272 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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VISHAYSO-8 |
9865 |
23+/24+ |
优势库存.原装正品.终端BOM表可配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品现货假一罚十 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
40000 |
2020 |
原装现货只有原装 |
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SI4435DD图片
SI4435DDY-T1-E3价格
SI4435DDY-T1-E3价格：￥1.1038品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4435DDY-T1-E3多少钱，想知道SI4435DDY-T1-E3价格是多少？参考价：￥1.1038。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4435DDY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4435DDY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4435DDY-T1-E3报价。
SI4435DDY-T1-GE3资讯
SI4435DDY-T1-GE3 深圳市力通伟业半导体有限公司
VishaySiP沟道MOSFETSI4435DDY-T1-GE3,8.1A,Vds=30V,8针SOIC封装
SI4435DDY 洪兴微电子商行 0755-82548551/13590219551
SI4435DDY 洪兴微电子商行0755-82548551/13590219551
SI4435DDY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4435DDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
Si4435DDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
