| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)SO-8 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
15 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOP-8 |
15800 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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SHARPSOP8 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
8941 |
19+/20+ |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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VISHAY/威世23+ |
16500 |
2021+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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VISHAYSOP8 |
10000 |
22+ |
原装正品,现货优势供应 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
800000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
61766 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
10000 |
22+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世NA |
880000 |
08+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SI4435B图片
SI4435B资讯
SI4435BDY-T1-E3 SOP-8 晶体MOS管 P通道 SI4435BDY-T1-E3 详细中文参数
分立式导体产品MOSFETP-CH30V7A8-SOIC
SI4435BDY-T1-E3
SI4435BDY-T1-E3绝对原装进口现货可开17%增值税发票
SI4435B中文资料Alldatasheet PDF
更多Si4435BDY制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N
SI4435BDY_1制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
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SI4435BDYT1E3制造商:SILX
SI4435BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 9.1A 2.5W 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4435BDYT-T1-E3制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC *MIC*
