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SI4435BDY-T1-E3 SOP-8 晶体MOS管 P通道 SI4435BDY-T1-E3 详细中文参数

2025-8-6 11:04:00
  • 分立式导体产品 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

型号:SI4435BDY-T1-E3

品牌:VISHAY/威世半导体

产品描述:分立式导体产品 MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

产品类型: MOSFET P 通道,金属氧化物

功率最大: 1.5W

家庭: FET - 单

包装: 剪切带 (CT)/REEL

产品功能: 逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss): 30V

正常工作温度范围: -55°C ~ 150°C

安装类型: 表面贴装/SMT

封装尺寸: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商标准封装: 8-SOIC N

标准包装: 2500

通道类型: P通道

其他名称:

SI4435BDYT1E3

SI4435BDY-T1-E3CT

单价:面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应集成电路(IC)SI4435BDY-T1-E3晶体管MOS管

SI4435BDY-T1-E3品质保证,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

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