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SI4412DY-T1-E3 | N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：229.55 Kbytes 页数：8 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SI4412DY-T1-E3 | N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Power MOSFET • Optimized for High-Side Synchronous Rectifier Operation • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • Notebook CPU Core - High-Side Switch 文件：1.00678 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
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详细参数
- 型号：
SI4412DY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 30 Volt 7.0 Amp 2.5W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
25+ |
SOP8 |
18600 |
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VISHAY |
20+ |
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诚信交易大量库存现货 |
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