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SI3529DV-T1-GE3

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NK/南科功率TSOP-6

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国产南科平替供应大量

深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世SOT-163

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SI3529DV-T1-E3

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VISHAY/威世SOT-23-6

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VISHAY/威世SOT-163

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SI3529DV-T1-GE3

VISHAY-威世TSOP-6

78800

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SI3529DV-T1-GE3

VISHAY/威世SOT23-6

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SI3529DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

20000

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SI3529DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

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SI3529DV-T1-GE3

NK/南科功率TSOP-6

986966

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SI3529DVT1GE3

Vishay Siliconix6TSOP

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深圳市博中泰实业有限公司

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SI3529DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

90000

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全新原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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SI3529DV-T1-GE3MOS(场效应管)

VISHAY/威世TSOP-6

50000

23+

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深圳市盈慧通电子有限公司

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SI3529DV-T1-GE3

VISHAY/威世TSOP-6

360000

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深圳市威尔健半导体有限公司

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SI3529DV-T1-GE3MOS(场效应管)

VISHAY/威世TSOP-6

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SI3529DV-T1-GE3MOS(场效应管)

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SI3529DV-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 2.25/1.76A 1.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3529DV-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 2.2/2.3A 1.4W 125/215mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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