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SI3481DV-T1-GE3	文件：451.12 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：451.12 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
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详细参数

型号：
SI3481DV-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 5.3A 2.0W 48mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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