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SI3460DV-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:476.51 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI3462-E01-GMIC

QFN11

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上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

SI3462-E01-GMR

QFN11

SILICON

SI3470A-A01-IMR

SKYWORKS SOLUTIONS

上传:天津市博通航睿技术有限公司

SKYWORKS SOLUTIONS

SI3500-A-GMIC

QFN

SILICON LABS/芯科

上传:深圳庞田科技有限公司

SILICON LABS/芯科

详细参数

  • 型号:

    SI3460DV-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 6.8A 2.0W 38mohm @ 1.8V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
2019+
SOT-163
78550
原厂渠道 可含税出货
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SOT23-6
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SOT-23-6
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更多SI3460DV-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-11 16:03:00