SI3457DV中文资料双P沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
SI3457DV规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆高级PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-4 A，-30 V。
•RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V
•RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = -4.5 V
•低栅极变化
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：SI3457DV
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-30
- VGS Max (V)
：25
- VGS(th) Max (V)
：-3
- ID Max (A)
：-4
- PD Max (W)
：1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6
- Ciss Typ (pF)
：470
- Package Type
：TSOT-23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3266 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHLD |
2016+ |
SOT23-6 |
22890 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
SOT-6 |
2569 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
VISHAY |
24+ |
SOT323-6 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
SILICONIX |
23+ |
原厂封装 |
12735 |
询价 | |||
FAIRCHILD |
25+ |
SOT23-6 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
SILICONIX |
25+ |
标准封装 |
18000 |
原厂直接发货进口原装 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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询价 |
