SI3457DV数据手册ONSEMI中文资料规格书
SI3457DV规格书详情
描述 Description
此P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆高级PowerTrench工艺生产。 它已针对电池的电源管理应用进行了优化。
特性 Features
•-4 A,-30 V。
•RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -10 V
•RDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = -4.5 V
•低栅极变化
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:SI3457DV
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:P-Channel
- Configuration
:Single
- V(BR)DSS Min (V)
:-30
- VGS Max (V)
:25
- VGS(th) Max (V)
:-3
- ID Max (A)
:-4
- PD Max (W)
:1.6
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:75
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:50
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:6
- Ciss Typ (pF)
:470
- Package Type
:TSOT-23-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHLD |
24+ |
SOT23-6 |
8540 |
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询价 | ||
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24+ |
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FAIRCHILD |
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VISHAY |
24+ |
SOT |
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询价 | ||
VISHAY |
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8000 |
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SOT-163 |
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