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SI2337DS-T1-E3	文件：1.1142 Mbytes Page：10 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available 文件：1.1142 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI2337DS-T1-E3	文件：110.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 80-V (D-S) MOSFET 文件：110.27 Kbytes 页数：7 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI2337DS-T1-E3	文件：226.17 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 80 V (D-S) MOSFET 文件：226.17 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI2337DS-T1-GE3	文件：226.17 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 80 V (D-S) MOSFET 文件：226.17 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SI2337DS-T1-GE3	文件：209.35 Kbytes Page：10 Pages	P-Channel 80-V (D-S) MOSFET 文件：209.35 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay

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更多SI2337DS-T1供应商更新时间2025-11-7 17:50:00