SI2333中文资料MOS(场效应管)数据手册BORNSEMI规格书
技术参数
- 型号:
SI2333
- 功能描述:
MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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Micro |
1942+ |
N/A |
2760 |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
24+ |
SSOP |
9600 |
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VISHAY |
24+ |
SOT23 |
90000 |
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MCC/美微科 |
2511 |
SOT-23 |
360000 |
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VISHAY |
2015+ |
SOT23 |
60000 |
普通 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
SOT-23 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |