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SI2329DS-T1-GE3_VISHAY/威世科技_Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R中天科工二部

SI2329DS-T1-GE3

图片仅供参考，请参阅产品规格书

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1+
  • 厂家型号：

    SI2329DS-T1-GE3

  • 产品分类：

    芯片

  • 生产厂商：

    VISHAY/威世

  • 库存数量：

    39449

  • 产品封装：

    SOT-23

  • 生产批号：

    25+

  • 库存类型：

    热卖库存

  • 更新时间：

    2025-8-6 14:14:00

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原厂料号：SI2329DS-T1-GE3品牌：VISHAY/威世

VISHAY/威世全新特价SI2329DS-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

  • 芯片型号：

    SI2329DS-T1-GE3

  • 规格书：

    下载

  • 企业简称：

    VBSEMI【微碧半导体】详情

  • 厂商全称：

    VBsemi Electronics Co.,Ltd

  • 中文名称：

    微碧半导体（台湾）有限公司

  • 内容页数：

    9 页

  • 文件大小：

    465.85 kb

  • 资料说明：

    P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号：

    SI2329DS-T1-GE3

  • 制造商：

    Vishay Intertechnologies

  • 功能描述：

    Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 3-Pin SOT-23 T/R

  • 制造商：

    Vishay Semiconductors

  • 制造商：

    Vishay Siliconix

  • 功能描述：

    P-CHANNEL 8-V(D-S) MOSFET - Tape and Reel

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 8V SOT-23

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 8V 6A SOT23

  • 功能描述：

    MOSFET, P-CH, 8V, 6A, SOT23

  • 功能描述：

    Si2329DS Series 8 V 5.3 A 0.03 Ohm SMT P-Channel MOSFET - SOT-23-3

  • 功能描述：

    MOSFET, P-CH, 8V, 6A, SOT23, Transistor

  • Polarity：

    P Channel, Continuous Drain Current

  • Id：

    -6A, Drain Source Voltage

  • Vds：

    -8V, On Resistance

  • Rds(on)：

    0.025ohm, Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    -4.5V, Power Dissipation

  • Pd：

    2.5W, Operating , RoHS

  • Compliant：

    Yes

  • 功能描述：

    MOSFET

供应商

  • 企业：

    中天科工半导体（深圳）有限公司

  • 商铺：

    进入商铺留言

  • 联系人：

    李先生

  • 手机：

    13128990370

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