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SI2319

SI2319

VISHAYSOT-23

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专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SI2319DS-T1-GE3

VISHAYN/A

70000

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市米数科技有限公司

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SI2319DS-T1-E3

VISHAYSOT-23

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原装,诚信经营

深圳市纳福半导体有限公司

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SI2319CDS-T1-GE3P沟道MOS管

VBSEMI/台湾微碧SOT-23

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中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI2319CDS-T1-GE3

Vishay(威世)原装

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Vishay(威世)_SI2319CDS-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有订

深圳市星源辉科技有限公司

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SI2319DS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-23

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原装正品,可配单,支持实单

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SI2319DS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-23

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原装现货,原厂渠道价格优势

深圳飞弛宏科技有限公司

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SI2319DS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-23

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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低

深圳市拓亿芯电子有限公司

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SI2319CDS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT23

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深圳市美一优科技有限公司

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SI2319DDS-T1-GE3

ATNA

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深圳市富达微科技有限公司

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SI2319CDS-T1-GE3

VISHAY/威世原厂封装

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原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!

深圳市振芯物联科技有限公司

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SI2319CDS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-23

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市天芯威科技有限公司

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VISHAY(威世)N/A

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世SOT-23

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深圳诚思涵科技有限公司

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深圳市海天鸿电子科技有限公司

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深圳市清腾科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-23

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深圳市芯皇电子有限公司

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SI2319CDS-T1-GE3价格

SI2319CDS-T1-GE3价格:¥0.7067品牌:Vishay

生产厂家品牌为Vishay的SI2319CDS-T1-GE3多少钱,想知道SI2319CDS-T1-GE3价格是多少?参考价:¥0.7067。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI2319CDS-T1-GE3批发价格及采购报价,SI2319CDS-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI2319CDS-T1-GE3报价。

SI2319DS-T1-E3资讯

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SI2319DS-T1-GE3芯片VISHAY代理商现货海天鸿电子科技;VISHAY集成电路芯片;深圳公司仓库现货,只做原装,假一罚十

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SI2319CDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40 V(D-S) MOSFET

SI2319CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2319DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V(D-S) MOSFET

SI2319DS-T1功能描述:MOSFET 40V 3.0A 0.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2319DS-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2319DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube