| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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21年
留言
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VISHAYSOT-23 |
6500 |
25+ |
专注原装芯片21年 一手货源 样品免费送 |
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VISHAYN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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3年
留言
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VISHAYSOT-23 |
12880 |
25+ |
原装,诚信经营 |
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1年
留言
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VBSEMI/台湾微碧SOT-23 |
25600 |
22+ |
原装正品、支持实单、价优实在 |
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16年
留言
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Vishay(威世)原装 |
65828 |
26+ |
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Vishay(威世)_SI2319CDS-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有订 |
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2年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
18000 |
26+ |
原装正品,可配单,支持实单 |
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6年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
18000 |
26+ |
原装现货,原厂渠道价格优势 |
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9年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
3000 |
23+ |
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专业供应MOS/LDO/晶体管/有大量价格低 |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
12000 |
26+ |
只做原装正品 |
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1年
留言
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ATNA |
3384 |
24+ |
现货-终端可以月结 |
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2年
留言
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VISHAY/威世原厂封装 |
5000 |
24+ |
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈! |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
16065 |
26+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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12年
留言
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VISHAYSOT |
12000 |
22+23+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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4年
留言
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VISHAY(威世)N/A |
23500 |
23+ |
最新到货,只做原装进口 |
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4年
留言
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VISHAYSOT23 |
8500 |
2428+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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8年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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12年
留言
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VISHAYSOT-23 |
9500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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5年
留言
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VISHAYSOT23 |
5000 |
2320+ |
只做原装,特价清货! |
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11年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
20000 |
25+ |
原装 |
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7年
留言
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VISHAY/威世23+ |
6000 |
26+ |
专业配单原装正品假一罚十 |
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SI2319CDS-T1-GE3价格
SI2319CDS-T1-GE3价格:¥0.7067品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI2319CDS-T1-GE3多少钱,想知道SI2319CDS-T1-GE3价格是多少?参考价:¥0.7067。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI2319CDS-T1-GE3批发价格及采购报价,SI2319CDS-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI2319CDS-T1-GE3报价。
SI2319DS-T1-E3资讯
SI2319CDS-T1-GE3
进口代理
SI2319DDS-T1-GE3
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SI2319DS-T1-GE3芯片VISHAY代理商现货海天鸿电子科技;VISHAY集成电路芯片;深圳公司仓库现货,只做原装,假一罚十
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SI2319DS-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2319CDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40 V(D-S) MOSFET
SI2319CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 4.4A P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2319DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 40-V(D-S) MOSFET
SI2319DS-T1功能描述:MOSFET 40V 3.0A 0.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2319DS-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2319DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube





































