| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>SI2314EDS-T1-E3>芯片详情
SI2314EDS-T1-E3_VISHAY/威世_MOSFET 20V 4.9A诺美思科技
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI2314EDS-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 4.9A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
相近型号
- SI2314DS-T1-E3
- SI2315
- SI2314DS-T1
- SI2315BDS
- SI2315BDS/C5
- SI2314DS
- SI2315BDS1-E3
- SI2314BDS
- SI2315BDSIC
- SI2314
- SI2315BDST1
- SI2315BDS-T1
- SI2315BDS-T1-BE3
- SI2313DS-T1-GE3
- SI2315BDS-T1-E
- SI2315BDST1E3
- SI2313DS-T1-E3IC
- SI2315BDS-T1-E3
- SI2313DS-T1-E3
- SI2313DS-T1
- SI2315BDST1GE3
- SI2313DS
- SI2315BDS-T1-GE3
- SI2313BDS-TI-E3
- SI2315BDS-TI-E3
- SI2313
- SI2315DS
- SI2315DS1
- SI2312-TP
- SI2312TP
- SI2315DS-T1
- SI2312IC
- SI2315DS-T1-E3
- SI2312HE3
- SI2315DS-T1-E3IC
- SI2312EDS-T1-E3
- SI2315DS-T1-E3-VB
- SI2312DV-T1
- SI2315DS-T1-GE3
- SI2312DS-T1-GE3-VB
- SI2315DS-T1SOT23-C5
- SI2312DS-T1-GE3
- SI2315DS-TEZ
- SI2312DS-T1-E3IC
- SI2315DS-TI-E3
- SI2312DS-T1-E3
- SI2312-DS-T1/C2T0D
- SI2316
- SI2312DS-T1
- SI2316BDS



