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深圳市南科功率半导体有限公司

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SI2314EDS-T1-GE3

NK/南科功率SOT-23

36520

9420

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国产南科平替供应大量

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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SI2314EDS-T1-E3

VISHAYN/A

70000

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世SOT-23

78550

2019+

原厂渠道 可含税出货

深圳市昂芯微科技有限公司

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MOTOROLA/摩托罗拉DIP8

8800

23+

只做原装正品现货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI2314EDS-T1-GE3

VISHAY/威世SOT-23

39438

25+

1+
:¥0.12345

VISHAY/威世全新特价SI2314EDS-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-23

5000

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原装进口,免费送样品!

深圳市赛美科科技有限公司

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VISHAYSOT23-3

53650

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世SOT-23-3

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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市正纳电子有限公司

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Vishay(威世)NA

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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

深圳市华睿芯科技有限公司

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VISHAYSOT-23

20000

24+

全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI2314EDS-T1-E3

VISHAY/威世SOT-23

20300

25+

1+
:¥0.12345

VISHAY/威世原装特价SI2314EDS-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货

中天科工半导体(深圳)有限公司

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VISHAYSOT23

36800

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市南科功率半导体有限公司

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NK/南科功率SOT-23

986966

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国产

深圳雄芯伟创科技有限公司

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VISHAY/威世

6800

25+

原装正品

深圳市诺美思科技有限公司

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VISHAY原厂封装

9800

原装进口公司现货假一赔百

深圳市芯皇电子有限公司

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VISHAY/威世23+

6000

SOT23

原装现货有上库存就有货全网最低假一赔万

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAY/威世SOT23

1786

21+

深圳市亿联芯电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOT23

1616

2023+

1+
:¥6

十五年行业诚信经营,专注全新正品

深圳市华斯顿科技有限公司

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VISHAYSOT-23

77935

25+23+

绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货

深圳市中联芯电子有限公司

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VBSEMI/微碧半导体SOT23

7800

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全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈

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SI2314EDS-T1-E3价格

SI2314EDS-T1-E3价格:¥1.4807品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI2314EDS-T1-E3多少钱,想知道SI2314EDS-T1-E3价格是多少?参考价:¥1.4807。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI2314EDS-T1-E3批发价格及采购报价,SI2314EDS-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI2314EDS-T1-E3报价。

SI2314EDS-T1-GE3-VB中文资料Alldatasheet PDF

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SI2314EDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET

SI2314EDS-T1功能描述:MOSFET 20V 4.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2314EDS-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2314EDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.9A 1.25W 33mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube