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SI2312M-6AF规格书详情
描述 Description
N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V
技术参数
- 制造商编号
:SI2312M-6AF
- 生产厂家
:FOSAN
- 漏源电压(Vdss)
:20V
- 连续漏极电流(Id)
:6.8A
- 耗散功率(Pd)
:1.25W
- 导通电阻(RDS(on))
:16mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vgs(th))
:0.7V
- 输入电容(Ciss@Vds)
:888pF
- 工作温度
:-50℃~+150℃
- 配置
:沟槽
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
JXND |
24+ |
NA/ |
33250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
SipuSemi |
25+23+ |
Sot-23 |
30835 |
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SI |
24+ |
S0T23 |
38520 |
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询价 | ||
VIHSAY/SILICONIX |
24+ |
SOT-23 |
57200 |
新进库存/原装 |
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MCC/美微科 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
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Micro Commercial Co |
2022+ |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
38550 |
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VISHAY |
20+ |
SOT23 |
36800 |
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MCC |
17+ |
N/A |
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VISHAY |
24+ |
SOT23-3 |
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CJ/长电 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |