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SI2312M-6AF数据手册FOSAN中文资料规格书

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厂商型号

SI2312M-6AF

功能描述

SOT-23 20V N-Channel MOSFET

制造商

FOSAN ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO., LTD

中文名称

富信半导体 安徽富信半导体科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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SI2312M-6AF规格书详情

描述 Description

N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V

技术参数

  • 制造商编号

    :SI2312M-6AF

  • 生产厂家

    :FOSAN

  • 漏源电压(Vdss)

    :20V

  • 连续漏极电流(Id)

    :6.8A

  • 耗散功率(Pd)

    :1.25W

  • 导通电阻(RDS(on))

    :16mΩ@4.5V

  • 阈值电压(Vgs(th))

    :0.7V

  • 输入电容(Ciss@Vds)

    :888pF

  • 工作温度

    :-50℃~+150℃

  • 配置

    :沟槽

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