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SI2309BDS-T1-E3中文资料微碧半导体数据手册PDF规格书

SI2309BDS-T1-E3
厂商型号

SI2309BDS-T1-E3

功能描述

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件大小

1.11436 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 VBsemi Electronics Co.,Ltd
企业简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-20 23:00:00

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SI2309BDS-T1-E3规格书详情

FEATURES

• Isolated Package

• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;

f = 60 Hz)

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Dynamic dV/dt Rating

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

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