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SI2309BDS-T1-E3

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

文件:1.11436 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI2310

SOT-23

VISHIBA

SI2319CDS-T1-GE3

SOT-23

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

SI2323DS

SOT-23

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

上传:深圳市卓越微芯电子有限公司

SI2323DS-T1-E3

SOT-23-3

VISHAY/威世

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SOT-23
30100
只做正品原装现货
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