订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>SI2307BDS-T1-E3>芯片详情
SI2307BDS-T1-E3_NKKSWITCHES/恩楷楷_MOSFET 30V 3.2A 1.25W南科功率半导
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI2307BDS-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 30V 3.2A 1.25W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- SI2306DS-T1-GE3
- SI2306DS-T1-GE
- SI2307DS
- SI2306DS-T1-E3
- SI2307DS-T1-E3
- SI2306DS-T1
- SI2307DS-T1-GE3
- SI2306DS
- SI2306CDS-T1-E3
- SI2307-TP
- SI2308
- SI2306BDS-T1-GE3
- SI2308A
- SI2306BDS-T1-E3
- SI2308BDS
- SI2306BDS
- SI2308BDS-T1-BE3
- SI2306A
- SI2308BDS-T1-E3
- SI2306
- SI2308BDS-T1-GE3
- SI2305-TP
- SI2305DS-TI
- SI2308CDS-T1-GE3
- SI2305DS-T1-GE3
- SI2308DS
- SI2308DS-T1
- SI2305DS-T1-E3
- SI2308DS-T1-E3
- SI2305DS-T1
- SI2305DS
- SI2308DS-T1-GE3
- SI2305CDS-T1-GE3
- SI2305CDS-T1-E3
- SI2309
- SI2305CDS
- SI2309A
- SI2305B-TP
- SI2309BDS-T1-E3
- SI2305BDS-T1-E3
- SI2309BDS-T1-GE3
- SI2305ADS-T1-GE3
- SI2309CDS
- SI2305ADS-T1-E3
- SI2309CDS-T1-BE3
- SI2305ADS
- SI2309CDS-T1-E3
- SI2305A5SHB
- SI2305A
- SI2309CDS-T1-GE3