订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>SI2305ADS-T1-E3>芯片详情
SI2305ADS-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V中天科工二部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI2305ADS-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
中天科工半导体(深圳)有限公司
- 商铺:
- 联系人:
李先生
- 手机:
13128990370
- 询价:
- 电话:
13128990370/微信同号
- 地址:
深圳市福田区赛格广场54层5406-5406B
相近型号
- SI2304DS-T1-E3
- SI2305CDS-T1-GE3
- SI2304DS
- SI2305DS
- SI2304DDS-T1-GE3
- SI2305DS-T1
- SI2304DDS-T1-E3
- SI2305DS-T1-E3
- SI2304DDS
- SI2305DS-T1-GE3
- SI2304BDS-TI-E3
- SI2305DS-TI-E3
- SI2304BDS-T1-GE3
- SI2306
- SI2304BDS-T1-E3
- SI2306-2.8A
- SI2304BDS
- SI2306BDS
- SI2303-TP
- SI2306BDS-T1-E3
- SI2303DS-T1-GE3
- SI2306BDS-T1-GE3
- SI2303DS-T1-E3
- SI2306DS-T1
- SI2303DS
- SI2306DS-T1-E3
- SI2303CDS-T1-GE3
- SI2306DS-T1-GE3
- SI2303CDS-T1-E3
- SI2307
- SI2303CDS
- SI2307BDS
- SI2303BDS-T1-GE3
- SI2307BDS-T1-E3
- SI2303BDS-T1-E3
- SI2307BDS-T1-GE3
- SI2303BDS-T1
- SI2307CDS
- SI2303ADS-T1-GE3
- SI2307CDS-T1-E3
- SI2303ADS-T1-E3
- SI2307CDS-T1-GE3
- SI2302-TP
- SI2307DS
- SI2302DS-TI-E3
- SI2307DS-T1-E3
- SI2302DS-T1-GE3
- SI2307DS-T1-GE3
- SI2302DS-T1-E3
- SI2308