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SI2304	文件：270.85 Kbytes Page：12 Pages	N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology Product availability: SI2304DS in SOT23. Features ■ TrenchMOS™ technology ■ Very fast switching ■ Subminiature surface mount package. Applications ■ Battery management 文件：270.85 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
SI2304	文件：423.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisture Sensitivity Level 1 • 30V,2.5A, RDS(ON)=65 mΩ @ VGS=10V 30V,2.0A, 文件：423.53 Kbytes 页数：5 Pages	MCC	MCC
SI2304	文件：303.22 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：303.22 Kbytes 页数：4 Pages	MCC	MCC
SI2304	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal MOSFETS	MCC 美微科	MCC
SI2304A	文件：1.61497 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A04；Package：SOT-23；N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 文件：1.61497 Mbytes 页数：5 Pages	UMW 友台半导体	UMW
SI2304A	文件：1.53469 Mbytes Page：5 Pages	丝印：A04；Package：SOT-23；N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Features VDS (V) = 30V RDS(ON) 文件：1.53469 Mbytes 页数：5 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
SI2304BDS	文件：73.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：73.63 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI2304BDS-T1-E3	文件：73.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：73.63 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI2304BDS-T1-GE3	文件：476.96 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：476.96 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
SI2304DDS-T1-GE3	文件：487.49 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter 文件：487.49 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Automotive Compliant PPAP readiness：
No
Number of Functions：
Single
Channel：
N
Package：
SOT-23
VDS(V)：
30
VGS(V)：
±20
ID(A)：
2.5
RDS(ON)Max@VGS=10V(Ω)：
0.065
RDS(ON)Max@VGS=4.5V(Ω)：
0.09
VGS(th)Max(V)：
2
ESD Diode：
No
Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SI2304	VIHSAY/SILICONIX	24+	SOT-23	105200	新进库存/原装	询价
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