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SI2302S

MOSFET

MTW

美台微

MTW

SI2302SM-6AF

SOT-23 20V N-Channel MOSFET

类型:1个N沟道\n漏源电压(Vdss);: 20V\n连续漏极电流(1: 3A

FOSAN

富信半导体

SI2302SS-6AF

SOT-23 20V N-Channel MOSFET

N沟道,20V,3A,45mΩ@4.5V

FOSAN

富信半导体

SI2302-TP

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • 20V,3.0A, RDS(ON)=55mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=82mΩ@VGS=2.5V • High dense cell design for extremely low RDS(ON) • Rugged and reliable • Lead free product is acquired • SOT-23 Package • Marking Code: S2 • Epo

文件:168.38 Kbytes 页数:5 Pages

MCC

SK2302AAT

SOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETS

文件:592.07 Kbytes 页数:4 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

SK2302AAVP

N-Channel Enhancement Mo d e F ield Effect Transistor

文件:769.5 Kbytes 页数:5 Pages

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

技术参数

  • 漏源电压(Vdss):

    20V

  • 连续漏极电流(Id):

    3.5A

  • 耗散功率(Pd):

    0.9W

  • 导通电阻(RDS(on)):

    40mΩ@4.5V

  • 阈值电压(Vgs(th)):

    0.78V

  • 输入电容(Ciss@Vds):

    220pF

  • 工作温度:

    -50℃~+150℃

  • 配置:

    沟槽

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更多SI2302S供应商 更新时间2025-11-1 10:38:00