SI2302DS中文资料N-channel TrenchMOS logic level FET数据手册Nexperia规格书
SI2302DS规格书详情
描述 Description
Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
SI2302DS
- 功能描述：
MOSFET 20V 2.8A 1.25
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
VISHAY |
22+ |
SOT23 |
8600 |
全新正品现货 有挂就有现货 |
询价 | ||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
询价 | ||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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恩XP |
24+ |
SOT-23 |
7850 |
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VISHAY |
25+23+ |
New |
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询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT23 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
11+ |
2836 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 | |||
VISHAY |
25+ |
SOT-23 |
3000 |
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GC |
24+ |
32000 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 |
