订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>SI1926DL-T1-E3>芯片详情
SI1926DL-T1-E3_VISHAY/威世科技_MOSFET 60V 0.37A 0.51W中天科工一部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
SI1926DL-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 60V 0.37A 0.51W
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
相近型号
- SI1913EDH-T1-GE3
- SI1970DH-T1-E3
- SI1913DH-T1-GE3
- SI1970DH-T1-GE3
- SI1913DH-T1-E3
- SI1972DH-T1-GE3
- SI1912EDH-T1-GE3
- SI1988DH-T1-E3
- SI1912EDH-T1-E3
- SI2136-B30-GMR
- SI1912EDH-T1
- SI2141-A10-GM
- SI1908DL-T1-GE3
- SI2141-A10-GMR
- SI1907DL-T1-GE3
- SI2151-A10-GMR
- SI1906DL-T1-GE3
- SI2155-B30-GMR
- SI1905EDH-T1-GE3
- SI2158-B45-ZM3R
- SI1905DL-T1-GE3
- SI2166-B22-GMR
- SI1905DL-T1-E3
- SI2168-B40-GMR
- SI1904EDH-T1-GE3
- SI2173-A40-ZM7R
- SI1904DL-T1-GE3
- SI21802-B60-GM
- SI1903DL-T1-GE3
- SI21802-B60-GMR
- SI1903DL-T1-E3
- SI2180-B60-GM
- SI1902DL-T1-GE3
- SI2180-B60-GMR
- SI1902DL-T1-E3
- SI21812-B60-GM
- SI1902DL-T1
- SI21812-B60-GMR
- SI1902CDL-T1-GE3
- SI2181-B60-GM
- SI1901DL-T1-GE3
- SI2181-B60-GMR
- SI1900DL-T1-GE3
- SI21822-B60-GM
- SI1900DL
- SI21822-B60-GMR
- SI1869DH-T1
- SI2182-B60-GM
- SI1869DH
- SI2182-B60-GMR