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详细参数

型号：
SI1907DL-T1
功能描述：
MOSFET 12V 0.56A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SI1907DL-T1	VISHAY	24+	SOT363	9000		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SI1907DL-T1	VISAY	23+	SOT-363	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳兆威电子有限公司	SI1907DL-T1-E3	VISHAY	23+	SOT-363	57000	原装正品现货	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	SI1907DL-T1-E3	VISHAY/威世	24+	SOT-363	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SI1907DL-T1-GE3	VISHAY	23+	SOT-363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	SI1907DL-T1-GE3	VISHAY/威世	23+	SOT-363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SI1907DL-T1-GE3	VISHAY/威世	20+	SC70-6	120000	只做原装可免费提供样品	询价
深圳市威雅利发展有限公司	SI1907DL-T1-GE3	VISHAY	20+	SOT-363	3337	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市跃创芯科技有限公司	SI1907DL-T1-GE3	VISHAY/威世	22+	SOT-363	25000	只有原装绝对原装,支持BOM配单!	询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	SI1907DL-T1-GE3	VISHAY	24+	SOT-363	23336		询价

更多SI1907DL-T1供应商更新时间2025-5-16 15:30:00

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