| 订购数量 | 价格 | 
|---|---|
| 1+ | 
首页>SI1907DL-T1-E3>芯片详情
SI1907DL-T1-E3_VISHAY/威世_MOSFET 12V 0.56A润联芯城
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型描述 
- 型号:SI1907DL-T1-E3 
- 功能描述:MOSFET 12V 0.56A 
- RoHS:否 
- 制造商:STMicroelectronics 
- 晶体管极性:N-Channel 
- 汲极/源极击穿电压:650 V 
- 闸/源击穿电压:25 V 
- 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 
- RDS(导通):0.014 Ohms 
- 配置:Single 
- 安装风格:Through Hole 
- 封装/箱体:Max247 
- 封装:Tube 
相近型号
- SI1910DL-T1-E3
- SI1906DL-T1-GE3
- SI1910DL-T1-GE3
- SI1906DL-T1-E3
- SI1912
- SI19127ACTU
- SI1906DL-T1(PCH0)
- SI1912BDH-T1-E3
- SI1906DL-T1
- SI1912DH
- SI1906DL
- SI1912EDH
- SI1905EDH-T1-GE3
- SI1912EDH1
- SI1905EDH-T1-E3
- SI1912EDH-T1
- SI1905DLV-T1
- SI1912EDHT1E3
- SI1912EDH-T1-E3
- SI1905DL-T1-GE3
- SI1912EDH-T1-GE3
- SI1905DL-T1-E3IC
- SI1905DL-T1-E3/BKN
- SI1905DL-T1-E3
- SI1905DLT1E3
- SI1913
- SI1905DL-T1
- SI19132CBU
- SI1905DL1
- SI19134CTU
- SI1905DL
- SI19135CTU
- SI1905CL-T1
- SI1913DH-T1
- SI1905BDH-TI-E3IC
- SI1913DHT1E3
- SI1905BDH-TI-E3
- SI1913DH-T1-E3
- SI1905BDH-T1-GE3
- SI1913DH-T1-GE3
- SI1905BDH-T1-E3
- SI1913EDH
- SI1905BDHT1E3
- SI1913EDH1
- SI1905BDH
- SI1913EDH-T1
- SI1904EDH-T1-GE3
- SI1913EDHT1E3
- SI1904EDH-T1-E3
- SI1913EDH-T1-E3


