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SI1901DL-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SOT-363	VishayVishay Siliconix 威世科技相关企业：柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	Vishay
SI1901DL-T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SOT-363	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团相关企业：深圳市莱克讯科技有限公司	TFUNK
SI1901DL-T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY SOT-363	BARRY Vishay Barry 相关企业：深圳市莱克讯科技有限公司	BARRY

详细参数

型号：
SI1901DL-T1
功能描述：
MOSFET 20V 0.18A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI1901DL-T1供应商更新时间2024-5-17 8:29:00

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