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UP1901	文件：1.02716 Mbytes Page：20 Pages	HighAccuracyPowerMeterI2CInterfaceforDC/DCConverters	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UP1901AQAG	文件：1.02716 Mbytes Page：20 Pages	HighAccuracyPowerMeterI2CInterfaceforDC/DCConverters	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UP1901BQAI	文件：1.02716 Mbytes Page：20 Pages	HighAccuracyPowerMeterI2CInterfaceforDC/DCConverters	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
UPA1901	文件：203.75 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1901isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1901	文件：68.91 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1901isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdri	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1901TE	文件：68.91 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1901isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchaspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdri	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1901TE	文件：493.3 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA1901TE	文件：203.75 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA1901isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya2.5Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuch aspowerswitchofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
USB-1901	文件：249.63 Kbytes Page：2 Pages	8/16-CH16-Bit250kS/sMulti-FunctionUSBDAQModules	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
YB1901	文件：859.51 Kbytes Page：12 Pages	2.0AHigh-SidePowerSwitchwithFlag	YOBONYOBON TECHNOLOGIES,INC. 裕邦科技裕邦科技股份有限公司	YOBON

详细参数

型号：
SI1901DL-T
功能描述：
MOSFET 20V 0.18A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	SI1901DL-T	SILICLONIX	24+		2890		询价
深圳兆威电子有限公司	SI1901DL-T1-E3	VISHAY	23+	SOT-363	57000	原装正品现货	询价
深圳市宇创芯科技有限公司	SI1901DL-T1-E3	VISHAY/威世	24+	SOT-363	9600	原装现货,优势供应,支持实单!	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	SI1901DL-T1-GE3	VISHAY/威世	23+	SOT-363	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
京海半导体(深圳)有限公司	SI1901DL-T1-GE3	VISHAY/威世	21+	SC70-6	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多SI1901DL-T供应商更新时间2025-7-29 15:30:00

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