| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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DIODES/美台SMD |
7906200 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT363 |
600000 |
22+ |
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴! |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-363 |
3000 |
20+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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DIODES/美台SMD |
1800 |
2010 |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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DIODESSMD |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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DIODESSMD |
1800 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SMDNA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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DIODESSMD |
18800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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DIODESSMD |
200000 |
2010 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT363 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VIHSAY/SILICONIXSOT-363SOT-323-6 |
66000 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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深圳市佳杰伟业科技有限公司12年
留言
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DIODES2010 |
1800 |
2316+ |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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DIODESSMD |
1800 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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DIODESSMD |
36800 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT363 |
12000 |
20+ |
只做原装现货/假一赔十 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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DIODESSMD |
18800 |
2023+ |
芯为科技只做原装 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-363 |
3000 |
20+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOT363 |
20000 |
23+ |
原厂原装正品现货 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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DIODES/美台SMD |
354000 |
22+ |
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SI1405DL图片
SI1405DL价格
SI1405DL价格：￥0.7800品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1405DL多少钱，想知道SI1405DL价格是多少？参考价：￥0.7800。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1405DL批发价格及采购报价，SI1405DL销售排行榜及行情走势，SI1405DL报价。
SI1405DL其他被动元件中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1405DL制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET
SI1405DL-T1功能描述:MOSFET 8V 1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1405DL-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 1.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1405DL-T1-GE3功能描述:MOSFET P-CH 8V SC-70-6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
