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SI1012R-T1-GE3

N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

SI1012R-T1-GE3

N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

Si1012R-T1-GE3

丝印:C;Package:SC-75A;N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

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SI1012R-T1-GE3

丝印:C;Package:SC-75A;N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET

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SI1016CX-T1-GE3

VISHAY/威世
NA

VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SI1012R-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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更多SI1012R-T1-GE3供应商 更新时间2025-8-1 14:13:00