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TWL1106	文件：266.31 Kbytes Page：19 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAP??	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TWL1106PW	文件：266.31 Kbytes Page：19 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAP??	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TWL1106PWR	文件：266.31 Kbytes Page：19 Pages	VOICE-BANDAUDIOPROCESSOR(VBAP??	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
TZ1106A	文件：234.05 Kbytes Page：7 Pages	SMD2.5x2.027.0MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UB1106W	文件：312.32 Kbytes Page：16 Pages	SingleColorSuperWideAngleType(h=1.3mm) Productfeatures •OuterDimension2.5x2.0x1.3mm(LxWxH) •Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～120℃ OperatingTemperature:-40℃～100℃ •Lead–freesolderingcompatible •RoHScompliant	Stanley Stanley Electric Co	Stanley
UES1106	文件：93.88 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION TheUES1104seriesisspecificallydesignedforoperationinpowerswitchingcircuitsoperatingatfrequenciesofatleast20KHz. FEATURES ●VeryLowForwardVoltage(1.15V) ●VeryFastRecoveryTimes(50nSec) ●SmallSize ●ConvenientPackage	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UES1106	文件：109.35 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION TheUES1104seriesisspecificallydesignedforoperationinpowerswitchingcircuitsoperatingatfrequenciesofatleast20KHz. FEATURES ●VeryLowForwardVoltage(1.15V) ●VeryFastRecoveryTimes(50nSec) ●SmallSize ●ConvenientPackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UES1106	文件：279.96 Kbytes Page：2 Pages	HIGH-EFFICIENCYRECTIFIERS HIGH-EFFICIENCYRECTIFIERS AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UES1106HR	文件：109.35 Kbytes Page：3 Pages	RECTIFIERS DESCRIPTION TheUES1104seriesisspecificallydesignedforoperationinpowerswitchingcircuitsoperatingatfrequenciesofatleast20KHz. FEATURES ●VeryLowForwardVoltage(1.15V) ●VeryFastRecoveryTimes(50nSec) ●SmallSize ●ConvenientPackage	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
UG1106W	文件：312.32 Kbytes Page：16 Pages	SingleColorSuperWideAngleType(h=1.3mm) Productfeatures •OuterDimension2.5x2.0x1.3mm(LxWxH) •Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～120℃ OperatingTemperature:-40℃～100℃ •Lead–freesolderingcompatible •RoHScompliant	Stanley Stanley Electric Co	Stanley
UM1106	文件：404.57 Kbytes Page：2 Pages	25to30WattDC-DCConverters	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
UR1106W	文件：312.32 Kbytes Page：16 Pages	SingleColorSuperWideAngleType(h=1.3mm) Productfeatures •OuterDimension2.5x2.0x1.3mm(LxWxH) •Temperaturerange StorageTemperature:-40℃～120℃ OperatingTemperature:-40℃～100℃ •Lead–freesolderingcompatible •RoHScompliant	Stanley Stanley Electric Co	Stanley
USC1106	文件：59.25 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIER,upto400V,2.1A,50ns	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
VB1106K	文件：587.31 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VB1106K	文件：599.89 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1106N	文件：685.06 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1106N	文件：750.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100UIStested APPLICATIONS •Primarysideswitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1106N	文件：739.43 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1106S	文件：364.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters FEATURES •SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET •ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) •Verylowon-resfistanceRds(on) •100RgandUISTested	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VEC1106	文件：244.82 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterApplications PNPEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •AdoptionofMBITprocess. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •Highspeedswitching. •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.75mm). •Highallowablepowerdissi	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO

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详细参数

型号：
SHF1106TX
制造商：
SSDI
制造商全称：
Solid States Devices, Inc
功能描述：
1AMP 400-900V HYER FAST RECTIFIER

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