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SH8M24	文件：168.45 Kbytes Page：4 Pages	4V Drive NchPch MOSFET 文件：168.45 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8M24	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Pch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合各一颗Pch和Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch+Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
SH8M24_09	文件：168.45 Kbytes Page：4 Pages	4V Drive NchPch MOSFET 文件：168.45 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8M24TB	文件：1.18445 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.18445 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOP8
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
45
Drain Current ID[A]：
6
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.046
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.041
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.033
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.046
Total gate charge Qg[nC]：
6.8
Power Dissipation (PD)[W]：
3.1
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
5x6 (t=1.75)

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