| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)D2PAK(TO-263) |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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18年
留言
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SUPER超致TO-247 |
28 |
2022 |
全新原装正品现货 |
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3年
留言
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INFINEONPG-TO247-3 |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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7年
留言
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InfineonPG-TO247-3 |
30000 |
19+ |
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12年
留言
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FAIRCHILDTO220 |
3000 |
24+ |
进口原装假一赔十 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)D2PAK(TO-263) |
18798 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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7年
留言
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onsemi(安森美)D2PAK(TO-263) |
18746 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
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8年
留言
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INFINEON15A,600V,不带D |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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5年
留言
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Infineon TechnologiesTO2473 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌PBFREE |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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10年
留言
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SMDNA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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10年
留言
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INFINEONTO-247 |
8500 |
24+ |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
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3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
20000 |
22+ |
只做原装 品质保障 |
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6年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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ON-安森美TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
9000 |
22+ |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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18年
留言
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INFINEONTO247 |
13957 |
15+ |
全新 发货1-2天 |
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5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
23+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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18年
留言
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SUPER超致TO-247 |
28 |
2022 |
全新原装正品现货 |
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17年
留言
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INF |
60 |
24+ |
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SGW1图片
SGW15N120价格
SGW15N120价格:¥17.6819品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的SGW15N120多少钱,想知道SGW15N120价格是多少?参考价:¥17.6819。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SGW15N120批发价格及采购报价,SGW15N120销售排行榜及行情走势,SGW15N120报价。
SGW15N60中文资料Alldatasheet PDF
更多SGW10N60功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGW10N60A功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGW10N60AFKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 20A 92W TO247-3
SGW10N60RUF制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGW10N60RUFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT
SGW10N60RUFDTM功能描述:IGBT 晶体管 600V/10A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGW10N60RUFTM功能描述:IGBT 晶体管 600V/10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
SGW13N60UF制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW13N60UFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT
SGW13N60UFDTM功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube





























