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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)D2PAK(TO-263)

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深圳市乐创天科技有限公司

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SUPER超致TO-247

28

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全新原装正品现货

深圳市昂芯微科技有限公司

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INFINEONPG-TO247-3

6800

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只做原装正品现货

深圳市金华微盛电子有限公司

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InfineonPG-TO247-3

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FAIRCHILDTO220

3000

24+

进口原装假一赔十

深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)D2PAK(TO-263)

18798

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)D2PAK(TO-263)

18746

25+

样件支持,可原厂排单订货!

上海意淼电子科技有限公司

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INFINEON15A,600V,不带D

20000

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全新原装假一赔十

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Infineon TechnologiesTO2473

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌PBFREE

880000

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市振宏微科技有限公司

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SMDNA

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振宏微专业只做正品,假一罚百!

深圳市中联芯电子有限公司

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INFINEONTO-247

8500

24+

原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售

深圳市创新迹电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-247

20000

22+

只做原装 品质保障

深圳市川科科技有限公司

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INFINEON-英飞凌TO-247-3

78800

24+25+/26+27+

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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市川科科技有限公司

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ON-安森美TO-263-3

78800

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1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市芯皇电子有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-247

9000

22+

专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优

上海金庆电子技术有限公司

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INFINEONTO247

13957

15+

全新 发货1-2天

深圳市赛特兴科技有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

7000

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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

深圳市乐创天科技有限公司

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SUPER超致TO-247

28

2022

全新原装正品现货

深圳市一线半导体有限公司

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SGW10N60功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGW10N60A功能描述:IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGW10N60AFKSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 20A 92W TO247-3

SGW10N60RUF制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT

SGW10N60RUFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT

SGW10N60RUFDTM功能描述:IGBT 晶体管 600V/10A/W/FRD RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGW10N60RUFTM功能描述:IGBT 晶体管 600V/10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

SGW13N60UF制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT

SGW13N60UFD制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT

SGW13N60UFDTM功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube