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SGT75T65SDM1P4中文资料绝缘栅双极型晶体管数据手册Silan规格书
SGT75T65SDM1P4规格书详情
描述 Description
SGT75T65SDM1P4绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop III）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。
特性 Features
• 75A，650V，VCE(sat)(典型值)=1.65V@IC=75A
• 低导通损耗
• 快开关速度
• 高输入阻抗
技术参数
- 制造商编号
：SGT75T65SDM1P4
- 生产厂家
：Silan
- Type
：IGBT＋Diode
- Package
：TO-247-4L
- BVce (V)
：650
- Ic (A) Tc=100℃
：75
- If (A) Tc=100℃
：75
- Vge (th) (V)
：4.00~7.00
- Vce (sat) typ (V) Tc=25℃
：1.65
- Vfm typ (V)Tc=25℃
：1.82
- Vfm max (V)Tc=25℃
：2.3
- Trr typ (ns)Tc=25℃
：45
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SILAN/士兰微 |
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SILAN/士兰微 |
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