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SGT60N60FD1PS数据手册Silan中文资料规格书
SGT60N60FD1PS规格书详情
描述 Description
SGT60N60FD1PN/P7/PS/PT绝缘栅双极型晶体管采用场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
特性 Features
• 60A，600V，VCE(sat)(典型值)=2.2V@IC=60A
• 低导通损耗
• 快开关速度
• 高输入阻抗
技术参数
- 制造商编号
：SGT60N60FD1PS
- 生产厂家
：Silan
- Type
：IGBT＋Diode
- Package
：TO-247S-3L
- BVce (V)
：600
- Ic (A) Tc=100℃
：60
- Vge (th) (V)
：4.00~6.50
- Vce (sat) typ (V) Tc=25℃
：2.2
- Vce (sat) max (V) Tc=25℃
：2.7
- Vfm typ (V)Tc=25℃
：1.9
- Vfm max (V)Tc=25℃
：2.6
- Trr typ (ns)Tc=25℃
：38
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
9999 |
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ST/意法半导体 |
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原厂封装 |
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25+ |
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ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
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SILAN(士兰微) |
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