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SGT50T65FD1P7中文资料绝缘栅双极型晶体管数据手册Silan规格书
SGT50T65FD1P7规格书详情
描述 Description
SGT50T65FD1PN(P7)(PS)(PT) 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子最新的第四代场截止（Field Stop IV）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于电焊机、UPS,SMPS以及PFC等领域
特性 Features
• 50A，650V，VCE(sat)(典型值)=2.2V@IC=50A
• 低导通损耗
• 快开关速度
• 高输入阻抗
技术参数
- 制造商编号
：SGT50T65FD1P7
- 生产厂家
：Silan
- Type
：IGBT＋Diode
- Package
：TO-247-3L
- BVce (V)
：650
- Ic (A) Tc=100℃
：50
- Vge (th) (V)
：4.00~6.50
- Vce (sat) typ (V) Tc=25℃
：2.2
- Vce (sat) max (V) Tc=25℃
：2.6
- Vfm typ (V)Tc=25℃
：1.95
- Vfm max (V)Tc=25℃
：/
- Trr typ (ns)Tc=25℃
：33
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Silan |
23+ |
TO-3P |
50000 |
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SILAN(士兰微) |
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TO-247-3L |
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SILAN(士兰微) |
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TO-247-3L |
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