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SGT20T60SDM1P7规格书详情
描述 Description
SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止（Field Stop）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。
特性 Features
• 20A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.7V@IC=20A
• 低导通损耗
• 快开关速度
• 高输入阻抗
技术参数
- 制造商编号
：SGT20T60SDM1P7
- 生产厂家
：Silan
- Type
：IGBT＋Diode
- Package
：TO-247-3L
- BVce (V)
：600
- Ic (A) Tc=100℃
：20
- If (A) Tc=100℃
：20
- Vge (th) (V)
：4.00~6.50
- Vce (sat) typ (V) Tc=25℃
：1.7
- Vce (sat) max (V) Tc=25℃
：2.4
- Vfm typ (V)Tc=25℃
：1.8
- Vfm max (V)Tc=25℃
：/
- Trr typ (ns)Tc=25℃
：33.69
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