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SGT120R65AL数据手册ST中文资料规格书

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厂商型号

SGT120R65AL

功能描述

650 V,75 mOhm典型值,15 A,e-mode PowerGaN晶体管

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:23:00

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SGT120R65AL规格书详情

描述 Description

SGT120R65AL是一种650 V、15 A强模式PowerGaN晶体管,结合了成熟的封装技术。由此产生的G-HEMT器件拥有极低的传导损耗、高电流能力和超快的开关操作,以实现高功率密度和出众的效率性能。

特性 Features

• 增强模式常关晶体管
• 超快的开关速度
• 高电源管理能力
• 极低电容
• Kelvin源焊盘实现理想的栅极驱动
• 零反向恢复电荷

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