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SGS23N60UFD中文资料600V，PT IGBT数据手册ONSEMI规格书
SGS23N60UFD规格书详情
描述 Description
安森美半导体的 UFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗。UFD 系列设计适用于高速开关是必要功能的应用，例如电机控制和通用变频器。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压： VCE(sat)=2.1V 需 IC=12A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD： trr=42 ns（典型值）
应用 Application
• 其他工业
简介
SGS23N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGS23N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
SGS23N60UFDTU
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，12A
- 开关能量：
115µJ（开），135µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
17ns/60ns
- 测试条件：
300V，12A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220F-3
- 描述：
IGBT 600V 23A 73W TO220F
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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