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SGS23N60UFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
SGS23N60UFD |
参数属性 | SGS23N60UFD 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 23A 73W TO220F |
功能描述 | 600V,PT IGBT |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
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SGS23N60UFD规格书详情
描述 Description
安森美半导体的 UFD 系列绝缘门极双极晶体管 (IGBT) 提供低导通和开关损耗。UFD 系列设计适用于高速开关是必要功能的应用,例如电机控制和通用变频器。
特性 Features
•高速开关
•低饱和电压: VCE(sat)=2.1V 需 IC=12A
•高输入阻抗
•CO-PAK、IGBT 及 FRD: trr=42 ns(典型值)
应用 Application
• 其他工业
简介
SGS23N60UFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGS23N60UFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
SGS23N60UFDTU
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,12A
- 开关能量:
115µJ(开),135µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
17ns/60ns
- 测试条件:
300V,12A,23 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:
TO-220F-3
- 描述:
IGBT 600V 23A 73W TO220F
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3329 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220F |
7350 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
880000 |
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询价 | ||
三年内 |
1983 |
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ON |
20+ |
TO-220 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
TO220F |
1709 |
询价 | |||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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FSC |
23+ |
原厂原封 |
50 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
BGA |
23000 |
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ON/安森美 |
21+ |
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30000 |
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