首页>SGS10N60RUFD>规格书详情
SGS10N60RUFD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
SGS10N60RUFD |
| 参数属性 | SGS10N60RUFD 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 16A TO220F |
| 功能描述 | 600V，10A，短路额定 IGBT |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 17:09:00 |
| 人工找货 | SGS10N60RUFD价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
SGS10N60RUFD规格书详情
描述 Description
飞兆半导体的 RUFD 绝缘栅极双极性晶体管 (IGBT) 系列提供低导通和开关损耗，以及短路耐用性。RUFD 系列专为电机控制、UPS 和一般逆变器等短路耐用性是必需功能的应用而设计。
特性 Features
•10A, 600V, TC = 100°C
•低饱和电压：VCE(sat) = 2.2V @ IC = 10A
•典型下降时间。. . . . . . . . TJ = 125°C时为0.242ns
•高速开关
•高输入阻抗
•短路额定值
应用 Application
• 运动控制-家用设备
简介
SGS10N60RUFD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGS10N60RUFD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：SGS10N60RUFD
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- V(BR)CES Typ (V)
：600
- IC Max (A)
：10
- VCE(sat) Typ (V)
：2.2
- VF Typ (V)
：1.4
- Eoff Typ (mJ)
：0.215
- Eon Typ (mJ)
：0.141
- Trr Typ (ns)
：60
- Irr Typ (A)
：3.5
- Gate Charge Typ (nC)
：30
- Short Circuit Withstand (µs)
：10
- EAS Typ (mJ)
：-
- PD Max (W)
：55
- Co-Packaged Diode
：Yes
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-220F |
16800 |
全新进口原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
Fairchild(飞兆/仙童) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO220F |
8145 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FSC |
1844+ |
TO-220F |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
54000 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
仙童 |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO220F |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
原厂 |
23+ |
TO-220F |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
FAIRCHIL |
24+ |
TO-220F |
8866 |
询价 |
