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SGP04N60	文件：391 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGP04G72A1BD1SA-DCRT	文件：999.63 Kbytes Page：17 Pages	4GB DDR3 ?밨egistered ECC RDIMM	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SGP04N60	文件：347.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGP04N60_07	文件：347.72 Kbytes Page：12 Pages	Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SGP04G72D1BD2MT-BBRT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：240-RDIMM 类别：存储卡，模块存储器 - 模块描述：MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM	Swissbitswissbit ag swissbit ag	Swissbit
SGP04G72D1BD2MT-CCRT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：240-RDIMM 类别：存储卡，模块存储器 - 模块描述：MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM	Swissbitswissbit ag swissbit ag	Swissbit
SGP04N60XKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
SGP04
功能描述：
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 4A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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