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SGNE06C080MT150N25中文资料积层芯片保护器数据手册TDK规格书

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厂商型号

SGNE06C080MT150N25

参数属性

SGNE06C080MT150N25 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-压敏电阻MOV;产品描述:VARISTOR 8V 0201

功能描述

积层芯片保护器
VARISTOR 8V 0201

封装外壳

0201(0603 公制)

制造商

TDK TDK Corporation

中文名称

东电化 东电化(中国)投资有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:31:00

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技术参数

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  • 制造商编号

    :SGNE06C080MT150N25

  • 生产厂家

    :TDK

  • 击穿电压 (Nom.)

    :8V

  • 电容 (Typ.)

    :15pF

  • ESD钳位峰值电压 (Typ.) [8kV]?

    :58.5V

  • ESD钳位平均价值電圧 (Max.) [8kV]?

    :25V

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