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SGN2012V数据手册Silicongear中文资料规格书

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厂商型号

SGN2012V

功能描述

N型金氧半场效电晶体

制造商

Silicongear Silicongear Corporation

中文名称

绿星电子 绿星电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :SGN2012V

  • 生产厂家

    :Silicongear

  • Polarity

    :N

  • Cfg

    :Single

  • ESD(Y/N)

    :No

  • VDS(V)

    :20

  • VGS(+/-V)

    :±10

  • VGS(TH)_(min.V)

    :0.3

  • VGS(TH)_(typ.V)

    :0.6

  • VGS(TH)_(max.V)

    :1

  • RDS(ON)@VGS=10V(typ. mΩ)

    :-

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(typ. mΩ)

    :19(24)

  • RDS(ON)@VGS=2.5V(typ. mΩ)

    :26(33)

  • RDS(ON)@VGS=1.8V(typ. mΩ)

    :38(48)

  • ID@TC=25°C(A)

    :-

  • ID@TC=70°C(A)

    :-

  • ID@TC=100°C(A)

    :-

  • ID@TA=25°C(A)

    :6.2

  • ID@TA=70°C(A)

    :5.2

  • Ciss(pF)

    :636

  • Coss(pF)

    :71

  • Crss(pF)

    :64

  • Qg@VGS=4.5V(nC)

    :8.2

  • Qg@VGS=10V(nC)

    :-

  • Qgs(nC)

    :1.3

  • Qgd(nC)

    :2.2

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