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SGL50N60RUFTU数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
SGL50N60RUFTU |
参数属性 | SGL50N60RUFTU 封装/外壳为TO-264-3,TO-264AA;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 80A 250W TO264 |
功能描述 | IGBT 600V 80A 250W TO264 |
封装外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
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SGL50N60RUFTU规格书详情
简介
SGL50N60RUFTU属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的SGL50N60RUFTU晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:SGL50N60RUFTU
- 生产厂家
:ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:600V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:80A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:150A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:2.8V @ 15V,50A
- 功率 - 最大值
:250W
- 开关能量
:1.68mJ(开),1.03mJ(关)
- 输入类型
:标准
- 栅极电荷
:145nC
- 25°C 时 Td(开/关)值
:26ns/66ns
- 测试条件
:300V,50A,5.9 欧姆,15V
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:通孔
- 封装/外壳
:TO-264-3,TO-264AA
- 供应商器件封装
:TO-264-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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01+ |
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